研究業績一覧

近年の業績(pdf)

ICPT2022(Sep 27-29, 2022 Benson Hotel, Portland, Oregon, USA)発表論文
Keiji Takashige, Yukiko Miyaji, Keisuke Suzuki, Hideaki Nishizawa, Toshiro Doi, "Effect of Glycerol on Cu-CMP and Investigation of its Mechanism by Novel Dynamic LSV System"
Hideaki Nishizawa, Toshiro Doi, Kazuo Imai, Keisuke Suzuki, Hideo Aida, "Dynamic Electrochemical Measurement System “d-EC” for Fundamental CMP Study"
Poster(Dynamic Electrochemical Measurement System “d-EC” for Fundamental CMP Study)

「月刊トライボロジー」2020年11月号特集記事
"次世代化合物半導体の超精密加工・洗浄・評価技術の現状から将来を占う"

日本機械学会 2020 年度年次大会講演論文集(2020.3.15)
キーノートスピーチ　"先端的 3 次元的構造デバイスのための難加工半導体基板の超精密加工技術とボンディング技術の確立に向けて"

光技術コンタクト 2020年1月号
"オプトメカトロニクス・シニア研究者の経験と若い研究者への期待－将来型半導体基板の加工プロセスのブレークスルー－"

Int. J. of Automation Technology Vol.12 No.2, 2018
"Next-Generation, Super-Hard-to-Process Substrates and Their High-Efficiency Machining Process Technologies Used to Create Innovative Devices"

2017年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集(2017.3.15)
キーノートスピーチ　"半導体基板の超精密加工′CMP技術と将来型加エプロセスのブレークスルー"

研究業績（抜粋）

◎特許出願関連（抜粋）
1.特許名：コンディショナおよびコンディショニング方法
特　願： 2007-312579 （平成19年12月）
発明者：黒河周平，土肥俊郎，門村和徳，福西利夫

2.特許名：研磨パッド及び研磨方法
特　願： 2008-308766 （平成20年12月）
発明者：土肥俊郎，黒河周平，梅崎洋二，中山公男，高岡信夫，加藤晋哉

3.特許名：III-V族化合物半導体ウェハ用の研磨液及びそれを用いたIII-V族化合物半導体ウェハの研磨方法
　　特許第4167928号
　　登録日平成20年8月8日,
　　特許権者：土肥俊郎, 発明者：土肥俊郎

4.特許名：有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
　　特　願：2009-040643 （平成21年2月）
　　発明者：土肥俊郎，黒河周平，六原行一，土田良彦

5.特許名：窒化珪素の研磨液およびその研磨方法
日本，特願 2009-282083（平成21年12月）
特開2011-122102（平成23年6月23日）、特許第4827963（平成23年9月22日）
発明者：土肥俊郎，黒河周平，大西修，長谷川正，河瀬康弘，山口靖英

6.特許名：窒化珪素の研磨液およびその研磨方法
台湾，出願 99142954（平成21年12月）
発明者：土肥俊郎，黒河周平，大西修，長谷川正，河瀬康弘，山口靖英

7.特許名：光変換用セラミック複合体の製造方法
日本，特願2010-275305（平成22年12月）、台湾，出願 100145499（平成23年12月9日）
発明者：土肥俊郎，黒河周平，大西修，稲森太，河野孝史

8.特許名：有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
日本，特願2010-265172（平成22年11月）
発明者：土肥俊郎，黒河周平，大西修，津守不二夫，岩橋孝典，六原行一

9.特許名：窒化珪素の研磨液およびその研磨方法
国際，出願PCT/JP2010/070549（平成22年11月）、公開WO2011/070898（平成23年6月16日）
発明者：土肥俊郎，黒河周平，大西修，長谷川正，山口靖英

10.特許名：POLISHING SLURRY FOR SILICON CARBIDE AND POLISHING METHOD THEREFOR
米国, 出願　13/514683　（平成22年11月）
　発明者：土肥俊郎、黒河周平、大西修、長谷川正、河瀬康弘、山口靖英

11.特許名：POLISHING SLURRY FOR SILICON CARBIDE AND POLISHING METHOD THEREFOR
欧, 出願　13/514683　（平成22年11月）
　発明者：土肥俊郎、黒河周平、大西修、長谷川正、河瀬康弘、山口靖英

12.特許名：光電変換素子とその製造方法
日本，特願2011-052435（平成23年3月）
発明者：土肥俊郎，黒河周平，大西修，村田昌彦

13.特許名：基板凹部の検査方法および基板のレジスト膜の検査方法
日本，特願2011-259051（平成23年11月）
発明者：土肥俊郎，黒河周平，大西修，大坪正徳

14.特許名：スプレーノズルおよびレジスト製膜装置
日本，特願2011-259054（平成23年11月）
発明者：土肥俊郎，黒河周平，大西修、清家、宮地、他2名
日本，特願2011-259054（平成23年11月）

15.POLISHING APPARATUS AND METHOD OF POLISHING WORK PIECE　　　　
　Taiwan Patent Invention Patent No.I340060 April 11(2011)
　Inventors：Toshiro Doi, Ara Philipossian, Darren DeNardis,

16.特許名：光電変換素子の製造方法
　　国際，出願PCT/JP2010/05576（平成24年3月）、公開WO2012/121274（平成24年9月13日）
　　発明者：土肥俊郎, 黒河周平, 大西修, 村田昌彦, 三宅邦仁

17.特許名：研磨機と被研磨物の研磨方法
　韓国特許　特許第10-1157235　（2012.5）
　発明者：土肥俊郎, アラフィリポシアン, ダレンデナルディス

18.特許名：研磨パッド及び研磨方法
　　日本, 特願 2013-049471 (平成25年3月)
　　発明者：土肥俊郎, 瀬下清, 高木正孝, 柏田太志

19.特許名：多機能高研磨能力CMP装置
　　出願中
　　発明者：土肥俊郎, 瀬下清, 宮下忠一

20.特許名：研磨パッド及び研磨方法
　　国際，特許PCT
　　発明者：土肥俊郎, 黒河周平, 梅崎洋二, 中山公男, 高岡信夫, 加藤晋哉

21.特許名：研磨パッド及び研磨方法
　　台湾，特許PCT
　　発明者：土肥俊郎, 黒河周平, 梅崎洋二, 中山公男, 高岡信夫, 加藤晋哉

22.特願2013-047971, 研磨パッド及び研磨方法, 土肥俊郎,　瀬下清

23.特願2013-266325,　ワーク研磨装置, 土肥俊郎, 瀬下清, 山崎努

24.特願2014-034551, 加工方法及び該方法を用いる複合加工装置並びに該方法または該装置により加工された加工物, 佐野泰久, 土肥俊郎, 黒河周平、會田英雄, 大山幸希, 宮下忠一.

25.特願2014-034650, 加工方法及び該方法を用いる複合加工装置並びに該方法または該装置により加工された加工物, 土肥俊郎、佐野泰久、宮下忠一、會田英雄、大山幸希.

26.商願2014-075527, -075528, -075529, -075530, -075531, -075532, -075532, -075533, -075534
商標登録、ダイラタンシーパッド、Dilatancy　他、土肥俊郎、瀬下清、富士紡ホールディングス㈱

(その他、186件)　

◎受賞
１）論文賞「サファイア単結晶のコロイダルシリカによる無じょう乱加工」,工作機械技術振興会,1982年6月
２）技術賞「複合構成半導体基板自動加工システムの開発」、精機学会（現・精密工学会）」、1982年10月　
３）論文賞「Development of A New Automatic Processing Machine for Optical-Fiber Connecter Ends」、高度自動化技術振興会、1992年10月　
４）高城賞「精密工学にかかわる人間の感性に関する研究」、精密測定技術振興財団、1995年9月　
５）論文賞「A New Precision technique of GaAs Single Crystals and Its Mechnism」、工作機械技術振興会、1998年9月　
６）高城賞「超ＬＳＩデバイス・プロセスの機械的プラナリゼーション加工に関する研究」、精密工学会、1999年9月　
７）高城賞「プラナリゼーションCMPとその応用技術に関する研究」精密工学会、2005年9月　
８）技術賞「超高圧マイクロジェットによる半導体CMPパッドの洗浄・コンディショニング技術」砥粒加工学会、2006年9月　
９）工作機械技術振興賞「純水のHPMJ（高圧マイクロジェット）による発泡ポリウレタンパッドの非破壊コンディショニング」工作機械技術振興財団、平成22年(2010年)9月
10）工作機械技術振興賞「ホブコーティング膜TiAlNの耐摩耗性能に関する基礎研究」工作機械技術振興財団、平成22年(2010年)9月
11)岩木賞・大賞「次世代半導体基板の高能率・高品位加工を実現する革新的な高速圧加工装置と加工条件感応型の特殊粘弾性材料パッドの開発」、トライボコーティング技術研究財団、平成27年(2015年)2月
12）日本機械学会「研究論文賞」、平成27年(2015年)2月20日
13) 精密工学会「精密工学会賞」、平成27年(2015年)9月15日
14) The 9th MIRAI Conference on Microfabrication and Green Technology Technology Award, “Novel High-efficiency Process for SiC Wafers – High Pressure & Rotation-speed Polishing Machine Using Dilatancy Pad(TM) -”, Toshiro Doi, Kiyoshi Seshimo, Tsutomu Yamazaki, Keiichi Tsukamoto, Masanori Ohtsubo, Tadakazu Miyashita, Taku Saeki, 2016.9.17
15) The 10th MIRAI Conference on Microfabrication and Green Technology, “Plasma fusion chemical mechanical polishing as a next generation processing technology and its application to SiC, GaN, and diamond substrates”, Toshiro Doi, Hideo Aida, Yasuhisa Sano, Shuhei Kurokawa, 2017.6.28
16）岩木トライボコーティングネットワークアワード（優秀賞・事業賞）、平成31年(2019年)2月22日

その他の受賞
１）研究開発本部長賞「複合構成半導体基板自動加工システムの開発」日本電信電話公社、1983年９月　
２）ベストオーガナイザー賞精密工学会、1999年～2010 年精密工学会春季学術講演会・秋季学術講演　（計17回受賞）
３）社長表彰感謝状「ＨＰＭＪ応用にかかわる発明（半導体ウエハ用研磨パッドのドレッシング装置）」　　旭サナック㈱、2003年12月　
４）理事長表彰「論文賞受賞に対する表彰」理化学研究所、（野依良治理事長）、2005年9月　
５）学長表彰「外部資金調達と大学運営経費確保に対する表彰」埼玉大学学長（田隅三生学長）2004年9月
６）学長表彰「外部資金調達と大学運営経費確保に対する表彰」埼玉大学学長（田隅三生学長）2005年9月
７）学長表彰「外部資金調達と大学運営経費確保に対する表彰」埼玉大学学長（田隅三生学長）　　2006年9月
８）感謝状「協会事業発展に対して」社団法人　日本オプトメカトロニクス協会、2007年5月　
９）感謝状「台湾国におけるCMP-UGM立ち上げに対して」台湾・工業技術研究院（ITRI）,2007年2月
10）表彰状「九州大学における研究の活性化への貢献に対して」九州大学総長（有川節夫総長）、　　2010年11月
11）表彰状「九州大学における研究の活性化への貢献に対して」九州大学総長（有川節夫総長）、　　2011年11月
12）表彰状「九州大学における研究の活性化への貢献に対して」九州大学総長（有川節夫総長）、　　2012年11月
13) 表彰状「九州大学における研究の活性化への貢献に対して」九州大学総長（有川節夫総長）、　　2013年11月

◎その他
１） Doi Award（土肥賞）の設立：海外の若手研究者・技術者に対して授与（2014年11月）
２）半導体産業新聞（新聞記事掲載）（2013年10月9日）
３） NHK福岡放送（ニュース報道）（2013年9月25日）
４）雑誌『Nature』（記事掲載）”Open Innovation for a brighter future”, T. K. Doi (21, Mar. 2013, naturejobs13)
５） BSフジ "ガリレオX"（科学技術番組）「社会を支える研磨技術-原点から現在、そして未来-」に出演（2018年6月25日）

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