Doi　Project-II

　近年，グリーンデバイス用結晶基板として，単結晶の窒化ガリウム（GaN）や 炭化ケイ素（SiC）が脚光を浴び高機能・高性能デバイスの開発に向け，精力的に 研究が進められている．そして，これらの基板に続く近未来型の究極的な半導体デバイス としてのダイヤモンド単結晶基板が注目されている．このダイヤモンド基板は，半導体材料の 中で，最も高い熱伝導率や絶縁耐圧など多くの優れた性質・特徴を有しているので， 理想的なデバイスの作成が可能となる．しかしながらダイヤモンドは物質中で最大の硬度を もつことやその化学的安定性のため，その加工は非常に困難を極める中で，究極的なデバイス化を 図るために，結晶成長をはじめ，加工プロセスなど挑戦的研究が試みられている．本研究は， 平成24年度 科学研究費・基板研究(S)/No.24226005の一環として，難加工材料の加工 プロセス技術に関するものである．
　本研究プロジェクトでは，SiC，GaNなどを含めてダイヤモンドなどの超難加工材料の新しい 加工法に関する研磨を展開している．本プロジェクトで提唱する加工プロセスは，基板の前加工 処理法として基板表層にフェムト秒（fs）レーザを照射することで疑似ラジカル場を形成し， 仕上げ加工しやすい状況を醸成する．続く仕上げ加工には，密閉式CMP加工を施す手法のほかに， そのCMP法とP-CVM法の融合化装置による高能率平坦化加工手法を目指す．後者については， 現在，新しい装置を試作中である．いずれにしても本プロジェクトでは，トータル的に高能率・高品位化を 実現することを特徴としている．